Mua Infineon Technologies IPD053N06N3GBTMA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IPD053N06N3GBTMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Mã sản phẩm

IPD053N06N3GBTMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO252-3

Tản điện (Tối đa)

115W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

90A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

5.3 mOhm @ 90A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 58µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

82nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 30V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 44233 PCS

Thông tin liên lạc