Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD80N04S306ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD80N04S306ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Not For New Designs
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
100W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 52µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
47nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3250pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 8720 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD80N04S306ATMA1
IPD80N04S306ATMA1 Linh kiện điện tử
IPD80N04S306ATMA1 Việc bán hàng
IPD80N04S306ATMA1 Nhà cung cấp
IPD80N04S306ATMA1 Nhà phân phối
IPD80N04S306ATMA1 Bảng dữ liệu
IPD80N04S306ATMA1 Ảnh
IPD80N04S306ATMA1 Giá
IPD80N04S306ATMA1 Lời đề nghị
IPD80N04S306ATMA1 Giá thấp nhất
IPD80N04S306ATMA1 Tìm kiếm
IPD80N04S306ATMA1 Thu mua
IPD80N04S306ATMA1 Chip