IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Mã sản phẩm
IPD80R1K0CEBTMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252-3
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.9V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
31nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
785pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22296 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD80R1K0CEBTMA1
IPD80R1K0CEBTMA1 Linh kiện điện tử
IPD80R1K0CEBTMA1 Việc bán hàng
IPD80R1K0CEBTMA1 Nhà cung cấp
IPD80R1K0CEBTMA1 Nhà phân phối
IPD80R1K0CEBTMA1 Bảng dữ liệu
IPD80R1K0CEBTMA1 Ảnh
IPD80R1K0CEBTMA1 Giá
IPD80R1K0CEBTMA1 Lời đề nghị
IPD80R1K0CEBTMA1 Giá thấp nhất
IPD80R1K0CEBTMA1 Tìm kiếm
IPD80R1K0CEBTMA1 Thu mua
IPD80R1K0CEBTMA1 Chip