Mua Infineon Technologies IPD80R1K4CEBTMA1 MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IPD80R1K4CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Mã sản phẩm

IPD80R1K4CEBTMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-252-3

Tản điện (Tối đa)

63W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

800V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

3.9A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1.4 Ohm @ 2.3A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.9V @ 240µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

23nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 100V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 15494 PCS

Thông tin liên lạc