Mua Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IPG16N10S4L61AATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Mã sản phẩm

IPG16N10S4L61AATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Sức mạnh tối đa

29W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TDSON-8-10

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

16A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

61 mOhm @ 16A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.1V @ 90µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

11nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

845pF @ 25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 39865 PCS

Thông tin liên lạc