Mua Infineon Technologies IPI90R1K0C3XKSA1 MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IPI90R1K0C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

Mã sản phẩm

IPI90R1K0C3XKSA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO262-3

Tản điện (Tối đa)

89W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

900V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

5.7A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1 Ohm @ 3.3A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 370µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

34nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 100V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 51438 PCS

Thông tin liên lạc