Mua Infineon Technologies IPN80R1K4P7ATMA1 MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IPN80R1K4P7ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223

Mã sản phẩm

IPN80R1K4P7ATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™ P7

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SOT-223-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-SOT223

Tản điện (Tối đa)

7W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

800V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1.4 Ohm @ 1.4A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 70µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

10nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 500V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 38907 PCS

Thông tin liên lạc