Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPSH4N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
Mã sản phẩm
IPSH4N03LA G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO251-3
Tản điện (Tối đa)
94W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.4 mOhm @ 60A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 40µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
26nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 6395 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPSH4N03LA G
IPSH4N03LA G Linh kiện điện tử
IPSH4N03LA G Việc bán hàng
IPSH4N03LA G Nhà cung cấp
IPSH4N03LA G Nhà phân phối
IPSH4N03LA G Bảng dữ liệu
IPSH4N03LA G Ảnh
IPSH4N03LA G Giá
IPSH4N03LA G Lời đề nghị
IPSH4N03LA G Giá thấp nhất
IPSH4N03LA G Tìm kiếm
IPSH4N03LA G Thu mua
IPSH4N03LA G Chip