Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Mã sản phẩm
IPT60R080G7XTMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™ G7
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerSFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-HSOF-8
Tản điện (Tối đa)
167W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 490µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
42nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 400V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 19281 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1 Linh kiện điện tử
IPT60R080G7XTMA1 Việc bán hàng
IPT60R080G7XTMA1 Nhà cung cấp
IPT60R080G7XTMA1 Nhà phân phối
IPT60R080G7XTMA1 Bảng dữ liệu
IPT60R080G7XTMA1 Ảnh
IPT60R080G7XTMA1 Giá
IPT60R080G7XTMA1 Lời đề nghị
IPT60R080G7XTMA1 Giá thấp nhất
IPT60R080G7XTMA1 Tìm kiếm
IPT60R080G7XTMA1 Thu mua
IPT60R080G7XTMA1 Chip