Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPU04N03LB G

IPU04N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Mã sản phẩm
IPU04N03LB G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
P-TO251-3
Tản điện (Tối đa)
115W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.3 mOhm @ 50A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 70µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
40nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43267 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPU04N03LB G
IPU04N03LB G Linh kiện điện tử
IPU04N03LB G Việc bán hàng
IPU04N03LB G Nhà cung cấp
IPU04N03LB G Nhà phân phối
IPU04N03LB G Bảng dữ liệu
IPU04N03LB G Ảnh
IPU04N03LB G Giá
IPU04N03LB G Lời đề nghị
IPU04N03LB G Giá thấp nhất
IPU04N03LB G Tìm kiếm
IPU04N03LB G Thu mua
IPU04N03LB G Chip