Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPUH6N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Mã sản phẩm
IPUH6N03LB G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO251-3
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.3 mOhm @ 50A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 40µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
22nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13537 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPUH6N03LB G
IPUH6N03LB G Linh kiện điện tử
IPUH6N03LB G Việc bán hàng
IPUH6N03LB G Nhà cung cấp
IPUH6N03LB G Nhà phân phối
IPUH6N03LB G Bảng dữ liệu
IPUH6N03LB G Ảnh
IPUH6N03LB G Giá
IPUH6N03LB G Lời đề nghị
IPUH6N03LB G Giá thấp nhất
IPUH6N03LB G Tìm kiếm
IPUH6N03LB G Thu mua
IPUH6N03LB G Chip