Mua Infineon Technologies IRF100P219XKMA1 TRENCH_MOSFETS

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IRF100P219XKMA1

TRENCH_MOSFETS

Mã sản phẩm

IRF100P219XKMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

StrongIRFET™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-247-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-247AC

Tản điện (Tối đa)

341W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.8V @ 278µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

270nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

12020pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 21144 PCS

Thông tin liên lạc