Mua Infineon Technologies IRF1018ESLPBF MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IRF1018ESLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

Mã sản phẩm

IRF1018ESLPBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-262

Tản điện (Tối đa)

110W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

79A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

8.4 mOhm @ 47A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 100µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

69nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2290pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 18210 PCS

Thông tin liên lạc