Mua Infineon Technologies IRF1902GTRPBF MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

IRF1902GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

Mã sản phẩm

IRF1902GTRPBF

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Tản điện (Tối đa)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

4.2A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

85 mOhm @ 4A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

700mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

7.5nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

VSS (Tối đa)

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 11641 PCS

Thông tin liên lạc