Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF200P223

IRF200P223

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Mã sản phẩm
IRF200P223
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
StrongIRFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247AC
Tản điện (Tối đa)
313W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.5 mOhm @ 60A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 270µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
102nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5094pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10964 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF200P223
IRF200P223 Linh kiện điện tử
IRF200P223 Việc bán hàng
IRF200P223 Nhà cung cấp
IRF200P223 Nhà phân phối
IRF200P223 Bảng dữ liệu
IRF200P223 Ảnh
IRF200P223 Giá
IRF200P223 Lời đề nghị
IRF200P223 Giá thấp nhất
IRF200P223 Tìm kiếm
IRF200P223 Thu mua
IRF200P223 Chip