Mua Infineon Technologies IRF40H210 MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IRF40H210

MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

Mã sản phẩm

IRF40H210

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

HEXFET®, StrongIRFET™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerVDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PQFN (5x6)

Tản điện (Tối đa)

125W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

40V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.7V @ 150µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

152nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

5406pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 7410 PCS

Thông tin liên lạc