Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF8010STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Mã sản phẩm
IRF8010STRLPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK
Tản điện (Tối đa)
260W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
15 mOhm @ 45A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
120nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46368 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF8010STRLPBF
IRF8010STRLPBF Linh kiện điện tử
IRF8010STRLPBF Việc bán hàng
IRF8010STRLPBF Nhà cung cấp
IRF8010STRLPBF Nhà phân phối
IRF8010STRLPBF Bảng dữ liệu
IRF8010STRLPBF Ảnh
IRF8010STRLPBF Giá
IRF8010STRLPBF Lời đề nghị
IRF8010STRLPBF Giá thấp nhất
IRF8010STRLPBF Tìm kiếm
IRF8010STRLPBF Thu mua
IRF8010STRLPBF Chip