Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF8304MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 28A MX
Mã sản phẩm
IRF8304MTR1PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
DirectFET™ Isometric MX
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DIRECTFET™ MX
Tản điện (Tối đa)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
28A (Ta), 170A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.2 mOhm @ 28A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
42nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 21816 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF8304MTR1PBF
IRF8304MTR1PBF Linh kiện điện tử
IRF8304MTR1PBF Việc bán hàng
IRF8304MTR1PBF Nhà cung cấp
IRF8304MTR1PBF Nhà phân phối
IRF8304MTR1PBF Bảng dữ liệu
IRF8304MTR1PBF Ảnh
IRF8304MTR1PBF Giá
IRF8304MTR1PBF Lời đề nghị
IRF8304MTR1PBF Giá thấp nhất
IRF8304MTR1PBF Tìm kiếm
IRF8304MTR1PBF Thu mua
IRF8304MTR1PBF Chip