Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF8707GPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Mã sản phẩm
IRF8707GPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.9 mOhm @ 11A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
9.3nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5243 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF8707GPBF
IRF8707GPBF Linh kiện điện tử
IRF8707GPBF Việc bán hàng
IRF8707GPBF Nhà cung cấp
IRF8707GPBF Nhà phân phối
IRF8707GPBF Bảng dữ liệu
IRF8707GPBF Ảnh
IRF8707GPBF Giá
IRF8707GPBF Lời đề nghị
IRF8707GPBF Giá thấp nhất
IRF8707GPBF Tìm kiếm
IRF8707GPBF Thu mua
IRF8707GPBF Chip