Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRLH5030TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Mã sản phẩm
IRLH5030TRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerVDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-PQFN (5x6)
Tản điện (Tối đa)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9 mOhm @ 50A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 150µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
94nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5185pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 17979 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRLH5030TRPBF
IRLH5030TRPBF Linh kiện điện tử
IRLH5030TRPBF Việc bán hàng
IRLH5030TRPBF Nhà cung cấp
IRLH5030TRPBF Nhà phân phối
IRLH5030TRPBF Bảng dữ liệu
IRLH5030TRPBF Ảnh
IRLH5030TRPBF Giá
IRLH5030TRPBF Lời đề nghị
IRLH5030TRPBF Giá thấp nhất
IRLH5030TRPBF Tìm kiếm
IRLH5030TRPBF Thu mua
IRLH5030TRPBF Chip