Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRLH5036TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Mã sản phẩm
IRLH5036TR2PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerVDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PQFN (5x6)
Tản điện (Tối đa)
3.6W (Ta), 160W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 150µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
90nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5360pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 27822 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRLH5036TR2PBF
IRLH5036TR2PBF Linh kiện điện tử
IRLH5036TR2PBF Việc bán hàng
IRLH5036TR2PBF Nhà cung cấp
IRLH5036TR2PBF Nhà phân phối
IRLH5036TR2PBF Bảng dữ liệu
IRLH5036TR2PBF Ảnh
IRLH5036TR2PBF Giá
IRLH5036TR2PBF Lời đề nghị
IRLH5036TR2PBF Giá thấp nhất
IRLH5036TR2PBF Tìm kiếm
IRLH5036TR2PBF Thu mua
IRLH5036TR2PBF Chip