Mua Infineon Technologies SPB20N60S5ATMA1 MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SPB20N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

Mã sản phẩm

SPB20N60S5ATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO263-3-2

Tản điện (Tối đa)

208W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

190 mOhm @ 13A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

5.5V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

103nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 32445 PCS

Thông tin liên lạc