Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SPB21N10 G
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Mã sản phẩm
SPB21N10 G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
SIPMOS®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Tản điện (Tối đa)
90W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
80 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 44µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
38.4nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
865pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22763 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SPB21N10 G
SPB21N10 G Linh kiện điện tử
SPB21N10 G Việc bán hàng
SPB21N10 G Nhà cung cấp
SPB21N10 G Nhà phân phối
SPB21N10 G Bảng dữ liệu
SPB21N10 G Ảnh
SPB21N10 G Giá
SPB21N10 G Lời đề nghị
SPB21N10 G Giá thấp nhất
SPB21N10 G Tìm kiếm
SPB21N10 G Thu mua
SPB21N10 G Chip