Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SPB35N10T
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Mã sản phẩm
SPB35N10T
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
SIPMOS®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Tản điện (Tối đa)
150W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 83µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
65nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5703 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SPB35N10T
SPB35N10T Linh kiện điện tử
SPB35N10T Việc bán hàng
SPB35N10T Nhà cung cấp
SPB35N10T Nhà phân phối
SPB35N10T Bảng dữ liệu
SPB35N10T Ảnh
SPB35N10T Giá
SPB35N10T Lời đề nghị
SPB35N10T Giá thấp nhất
SPB35N10T Tìm kiếm
SPB35N10T Thu mua
SPB35N10T Chip