Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN100N10S2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
360W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
180nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 45829 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFN100N10S2
IXFN100N10S2 Linh kiện điện tử
IXFN100N10S2 Việc bán hàng
IXFN100N10S2 Nhà cung cấp
IXFN100N10S2 Nhà phân phối
IXFN100N10S2 Bảng dữ liệu
IXFN100N10S2 Ảnh
IXFN100N10S2 Giá
IXFN100N10S2 Lời đề nghị
IXFN100N10S2 Giá thấp nhất
IXFN100N10S2 Tìm kiếm
IXFN100N10S2 Thu mua
IXFN100N10S2 Chip