Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN170N30P

IXFN170N30P

MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN170N30P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
890W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
300V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
138A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
18 mOhm @ 85A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
258nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
20000pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 32896 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFN170N30P
IXFN170N30P Linh kiện điện tử
IXFN170N30P Việc bán hàng
IXFN170N30P Nhà cung cấp
IXFN170N30P Nhà phân phối
IXFN170N30P Bảng dữ liệu
IXFN170N30P Ảnh
IXFN170N30P Giá
IXFN170N30P Lời đề nghị
IXFN170N30P Giá thấp nhất
IXFN170N30P Tìm kiếm
IXFN170N30P Thu mua
IXFN170N30P Chip