Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN210N20P

IXFN210N20P

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN210N20P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
1070W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
188A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
255nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
18600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22612 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFN210N20P
IXFN210N20P Linh kiện điện tử
IXFN210N20P Việc bán hàng
IXFN210N20P Nhà cung cấp
IXFN210N20P Nhà phân phối
IXFN210N20P Bảng dữ liệu
IXFN210N20P Ảnh
IXFN210N20P Giá
IXFN210N20P Lời đề nghị
IXFN210N20P Giá thấp nhất
IXFN210N20P Tìm kiếm
IXFN210N20P Thu mua
IXFN210N20P Chip