Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN26N100P
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN26N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
595W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
390 mOhm @ 13A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
197nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
11900pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5674 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFN26N100P
IXFN26N100P Linh kiện điện tử
IXFN26N100P Việc bán hàng
IXFN26N100P Nhà cung cấp
IXFN26N100P Nhà phân phối
IXFN26N100P Bảng dữ liệu
IXFN26N100P Ảnh
IXFN26N100P Giá
IXFN26N100P Lời đề nghị
IXFN26N100P Giá thấp nhất
IXFN26N100P Tìm kiếm
IXFN26N100P Thu mua
IXFN26N100P Chip