Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN27N80Q
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN27N80Q
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
520W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
170nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34399 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFN27N80Q
IXFN27N80Q Linh kiện điện tử
IXFN27N80Q Việc bán hàng
IXFN27N80Q Nhà cung cấp
IXFN27N80Q Nhà phân phối
IXFN27N80Q Bảng dữ liệu
IXFN27N80Q Ảnh
IXFN27N80Q Giá
IXFN27N80Q Lời đề nghị
IXFN27N80Q Giá thấp nhất
IXFN27N80Q Tìm kiếm
IXFN27N80Q Thu mua
IXFN27N80Q Chip