Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN30N110P
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN30N110P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
695W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
360 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
235nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40792 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFN30N110P
IXFN30N110P Linh kiện điện tử
IXFN30N110P Việc bán hàng
IXFN30N110P Nhà cung cấp
IXFN30N110P Nhà phân phối
IXFN30N110P Bảng dữ liệu
IXFN30N110P Ảnh
IXFN30N110P Giá
IXFN30N110P Lời đề nghị
IXFN30N110P Giá thấp nhất
IXFN30N110P Tìm kiếm
IXFN30N110P Thu mua
IXFN30N110P Chip