Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN36N100
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
700W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
240 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
380nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
9200pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25658 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFN36N100
IXFN36N100 Linh kiện điện tử
IXFN36N100 Việc bán hàng
IXFN36N100 Nhà cung cấp
IXFN36N100 Nhà phân phối
IXFN36N100 Bảng dữ liệu
IXFN36N100 Ảnh
IXFN36N100 Giá
IXFN36N100 Lời đề nghị
IXFN36N100 Giá thấp nhất
IXFN36N100 Tìm kiếm
IXFN36N100 Thu mua
IXFN36N100 Chip