Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN36N110P

IXFN36N110P

MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN36N110P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
1000W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
240 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
350nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11410 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFN36N110P
IXFN36N110P Linh kiện điện tử
IXFN36N110P Việc bán hàng
IXFN36N110P Nhà cung cấp
IXFN36N110P Nhà phân phối
IXFN36N110P Bảng dữ liệu
IXFN36N110P Ảnh
IXFN36N110P Giá
IXFN36N110P Lời đề nghị
IXFN36N110P Giá thấp nhất
IXFN36N110P Tìm kiếm
IXFN36N110P Thu mua
IXFN36N110P Chip