Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN38N100P
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN38N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarP2™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
1000W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
210 mOhm @ 19A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
350nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
24000pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 6691 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFN38N100P
IXFN38N100P Linh kiện điện tử
IXFN38N100P Việc bán hàng
IXFN38N100P Nhà cung cấp
IXFN38N100P Nhà phân phối
IXFN38N100P Bảng dữ liệu
IXFN38N100P Ảnh
IXFN38N100P Giá
IXFN38N100P Lời đề nghị
IXFN38N100P Giá thấp nhất
IXFN38N100P Tìm kiếm
IXFN38N100P Thu mua
IXFN38N100P Chip