Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN50N120SIC
MOSFET N-CH
Mã sản phẩm
IXFN50N120SIC
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Công nghệ
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
-
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
50 mOhm @ 40A, 20V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 2mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
100nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 1000V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
20V
VSS (Tối đa)
+20V, -5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34094 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC Linh kiện điện tử
IXFN50N120SIC Việc bán hàng
IXFN50N120SIC Nhà cung cấp
IXFN50N120SIC Nhà phân phối
IXFN50N120SIC Bảng dữ liệu
IXFN50N120SIC Ảnh
IXFN50N120SIC Giá
IXFN50N120SIC Lời đề nghị
IXFN50N120SIC Giá thấp nhất
IXFN50N120SIC Tìm kiếm
IXFN50N120SIC Thu mua
IXFN50N120SIC Chip