Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
Mã sản phẩm
IXFN50N80Q2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
1135W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
160 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
260nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34434 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2 Linh kiện điện tử
IXFN50N80Q2 Việc bán hàng
IXFN50N80Q2 Nhà cung cấp
IXFN50N80Q2 Nhà phân phối
IXFN50N80Q2 Bảng dữ liệu
IXFN50N80Q2 Ảnh
IXFN50N80Q2 Giá
IXFN50N80Q2 Lời đề nghị
IXFN50N80Q2 Giá thấp nhất
IXFN50N80Q2 Tìm kiếm
IXFN50N80Q2 Thu mua
IXFN50N80Q2 Chip