Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
Mã sản phẩm
IXFN82N60Q3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
SOT-227-4, miniBLOC
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-227B
Tản điện (Tối đa)
960W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
75 mOhm @ 41A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
275nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 38722 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 Linh kiện điện tử
IXFN82N60Q3 Việc bán hàng
IXFN82N60Q3 Nhà cung cấp
IXFN82N60Q3 Nhà phân phối
IXFN82N60Q3 Bảng dữ liệu
IXFN82N60Q3 Ảnh
IXFN82N60Q3 Giá
IXFN82N60Q3 Lời đề nghị
IXFN82N60Q3 Giá thấp nhất
IXFN82N60Q3 Tìm kiếm
IXFN82N60Q3 Thu mua
IXFN82N60Q3 Chip