Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXFV12N120P

IXFV12N120P

MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
Mã sản phẩm
IXFV12N120P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HiPerFET™, PolarP2™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3, Short Tab
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PLUS220
Tản điện (Tối đa)
543W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
103nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5400pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34115 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXFV12N120P
IXFV12N120P Linh kiện điện tử
IXFV12N120P Việc bán hàng
IXFV12N120P Nhà cung cấp
IXFV12N120P Nhà phân phối
IXFV12N120P Bảng dữ liệu
IXFV12N120P Ảnh
IXFV12N120P Giá
IXFV12N120P Lời đề nghị
IXFV12N120P Giá thấp nhất
IXFV12N120P Tìm kiếm
IXFV12N120P Thu mua
IXFV12N120P Chip