Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA06N120P

IXTA06N120P

MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
Mã sản phẩm
IXTA06N120P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarVHV™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (IXTA)
Tản điện (Tối đa)
42W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
32 Ohm @ 300mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13.3nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11614 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTA06N120P
IXTA06N120P Linh kiện điện tử
IXTA06N120P Việc bán hàng
IXTA06N120P Nhà cung cấp
IXTA06N120P Nhà phân phối
IXTA06N120P Bảng dữ liệu
IXTA06N120P Ảnh
IXTA06N120P Giá
IXTA06N120P Lời đề nghị
IXTA06N120P Giá thấp nhất
IXTA06N120P Tìm kiếm
IXTA06N120P Thu mua
IXTA06N120P Chip