Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA08N100D2HV
MOSFET N-CH
Mã sản phẩm
IXTA08N100D2HV
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263HV
Tản điện (Tối đa)
60W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
800mA (Tj)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
14.6nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
0V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15148 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTA08N100D2HV
IXTA08N100D2HV Linh kiện điện tử
IXTA08N100D2HV Việc bán hàng
IXTA08N100D2HV Nhà cung cấp
IXTA08N100D2HV Nhà phân phối
IXTA08N100D2HV Bảng dữ liệu
IXTA08N100D2HV Ảnh
IXTA08N100D2HV Giá
IXTA08N100D2HV Lời đề nghị
IXTA08N100D2HV Giá thấp nhất
IXTA08N100D2HV Tìm kiếm
IXTA08N100D2HV Thu mua
IXTA08N100D2HV Chip