Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA08N120P
MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
Mã sản phẩm
IXTA08N120P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (IXTA)
Tản điện (Tối đa)
50W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
25 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
14nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
333pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40208 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTA08N120P
IXTA08N120P Linh kiện điện tử
IXTA08N120P Việc bán hàng
IXTA08N120P Nhà cung cấp
IXTA08N120P Nhà phân phối
IXTA08N120P Bảng dữ liệu
IXTA08N120P Ảnh
IXTA08N120P Giá
IXTA08N120P Lời đề nghị
IXTA08N120P Giá thấp nhất
IXTA08N120P Tìm kiếm
IXTA08N120P Thu mua
IXTA08N120P Chip