Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA130N10T

IXTA130N10T

MOSFET N-CH 100V 130A TO-263
Mã sản phẩm
IXTA130N10T
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchMV™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (IXTA)
Tản điện (Tối đa)
360W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9.1 mOhm @ 25A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
104nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5080pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23276 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTA130N10T
IXTA130N10T Linh kiện điện tử
IXTA130N10T Việc bán hàng
IXTA130N10T Nhà cung cấp
IXTA130N10T Nhà phân phối
IXTA130N10T Bảng dữ liệu
IXTA130N10T Ảnh
IXTA130N10T Giá
IXTA130N10T Lời đề nghị
IXTA130N10T Giá thấp nhất
IXTA130N10T Tìm kiếm
IXTA130N10T Thu mua
IXTA130N10T Chip