Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA18P10T

IXTA18P10T

MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
Mã sản phẩm
IXTA18P10T
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchP™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (IXTA)
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
120 mOhm @ 9A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
39nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 50788 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTA18P10T
IXTA18P10T Linh kiện điện tử
IXTA18P10T Việc bán hàng
IXTA18P10T Nhà cung cấp
IXTA18P10T Nhà phân phối
IXTA18P10T Bảng dữ liệu
IXTA18P10T Ảnh
IXTA18P10T Giá
IXTA18P10T Lời đề nghị
IXTA18P10T Giá thấp nhất
IXTA18P10T Tìm kiếm
IXTA18P10T Thu mua
IXTA18P10T Chip