Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
Mã sản phẩm
IXTA1N170DHV
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263
Tản điện (Tối đa)
290W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1700V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
47nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40789 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV Linh kiện điện tử
IXTA1N170DHV Việc bán hàng
IXTA1N170DHV Nhà cung cấp
IXTA1N170DHV Nhà phân phối
IXTA1N170DHV Bảng dữ liệu
IXTA1N170DHV Ảnh
IXTA1N170DHV Giá
IXTA1N170DHV Lời đề nghị
IXTA1N170DHV Giá thấp nhất
IXTA1N170DHV Tìm kiếm
IXTA1N170DHV Thu mua
IXTA1N170DHV Chip