Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Mã sản phẩm
IXTA1R6N100D2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (IXTA)
Tản điện (Tối đa)
100W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
27nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42113 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTA1R6N100D2
IXTA1R6N100D2 Linh kiện điện tử
IXTA1R6N100D2 Việc bán hàng
IXTA1R6N100D2 Nhà cung cấp
IXTA1R6N100D2 Nhà phân phối
IXTA1R6N100D2 Bảng dữ liệu
IXTA1R6N100D2 Ảnh
IXTA1R6N100D2 Giá
IXTA1R6N100D2 Lời đề nghị
IXTA1R6N100D2 Giá thấp nhất
IXTA1R6N100D2 Tìm kiếm
IXTA1R6N100D2 Thu mua
IXTA1R6N100D2 Chip