Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA2N80P

IXTA2N80P

MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
Mã sản phẩm
IXTA2N80P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHV™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (IXTA)
Tản điện (Tối đa)
70W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6 Ohm @ 1A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10.6nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24144 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTA2N80P
IXTA2N80P Linh kiện điện tử
IXTA2N80P Việc bán hàng
IXTA2N80P Nhà cung cấp
IXTA2N80P Nhà phân phối
IXTA2N80P Bảng dữ liệu
IXTA2N80P Ảnh
IXTA2N80P Giá
IXTA2N80P Lời đề nghị
IXTA2N80P Giá thấp nhất
IXTA2N80P Tìm kiếm
IXTA2N80P Thu mua
IXTA2N80P Chip