Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
Mã sản phẩm
IXTA3N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarVHV™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (IXTA)
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
39nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42703 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTA3N100P
IXTA3N100P Linh kiện điện tử
IXTA3N100P Việc bán hàng
IXTA3N100P Nhà cung cấp
IXTA3N100P Nhà phân phối
IXTA3N100P Bảng dữ liệu
IXTA3N100P Ảnh
IXTA3N100P Giá
IXTA3N100P Lời đề nghị
IXTA3N100P Giá thấp nhất
IXTA3N100P Tìm kiếm
IXTA3N100P Thu mua
IXTA3N100P Chip