Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTA75N10P

IXTA75N10P

MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
Mã sản phẩm
IXTA75N10P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHT™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263 (IXTA)
Tản điện (Tối đa)
360W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
25 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
74nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43720 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTA75N10P
IXTA75N10P Linh kiện điện tử
IXTA75N10P Việc bán hàng
IXTA75N10P Nhà cung cấp
IXTA75N10P Nhà phân phối
IXTA75N10P Bảng dữ liệu
IXTA75N10P Ảnh
IXTA75N10P Giá
IXTA75N10P Lời đề nghị
IXTA75N10P Giá thấp nhất
IXTA75N10P Tìm kiếm
IXTA75N10P Thu mua
IXTA75N10P Chip