Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTB30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Mã sản phẩm
IXTB30N100L
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-264-3, TO-264AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PLUS264™
Tản điện (Tối đa)
800W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
450 mOhm @ 500mA, 20V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
545nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
13200pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
20V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10503 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTB30N100L
IXTB30N100L Linh kiện điện tử
IXTB30N100L Việc bán hàng
IXTB30N100L Nhà cung cấp
IXTB30N100L Nhà phân phối
IXTB30N100L Bảng dữ liệu
IXTB30N100L Ảnh
IXTB30N100L Giá
IXTB30N100L Lời đề nghị
IXTB30N100L Giá thấp nhất
IXTB30N100L Tìm kiếm
IXTB30N100L Thu mua
IXTB30N100L Chip