Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTH67N10

IXTH67N10

MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
Mã sản phẩm
IXTH67N10
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
MegaMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247 (IXTH)
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
260nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28738 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTH67N10
IXTH67N10 Linh kiện điện tử
IXTH67N10 Việc bán hàng
IXTH67N10 Nhà cung cấp
IXTH67N10 Nhà phân phối
IXTH67N10 Bảng dữ liệu
IXTH67N10 Ảnh
IXTH67N10 Giá
IXTH67N10 Lời đề nghị
IXTH67N10 Giá thấp nhất
IXTH67N10 Tìm kiếm
IXTH67N10 Thu mua
IXTH67N10 Chip