Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
Mã sản phẩm
IXTI10N60P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHV™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-262 (I2PAK)
Tản điện (Tối đa)
200W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
740 mOhm @ 5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
32nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 18400 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTI10N60P
IXTI10N60P Linh kiện điện tử
IXTI10N60P Việc bán hàng
IXTI10N60P Nhà cung cấp
IXTI10N60P Nhà phân phối
IXTI10N60P Bảng dữ liệu
IXTI10N60P Ảnh
IXTI10N60P Giá
IXTI10N60P Lời đề nghị
IXTI10N60P Giá thấp nhất
IXTI10N60P Tìm kiếm
IXTI10N60P Thu mua
IXTI10N60P Chip